1. Спільна науково-дослідна лабораторія нелінійних давачів імені професора Ковальського П.М. Дрогобицького державного педагогічного університету і Науково-виробничого підприємства „Карат” (м.Львів).
2. Керівник лабораторії: Кравців Микола Михайлович, старший науковий співробітник.
3. Напрями діяльності, тематика досліджень:
1. Керамічні матеріали електронної техніки:
Напівпровідникова оксидна кераміка на основі кубічних шпінелей (Ni, Co, Mn, Cu)3O4 поліфункціонального призначення:
- · розробка новітніх методів відбору керамічних матеріалів з наперед визначеними фізико-хімічними параметрами;
- · комплексне дослідження електрофізичних властивостей, фазового складу та мікроструктури керамічних напівпровідникових композитів;
- · дослідження особливостей термічної модифікації керамічних композицій;
- · експериментальні та теоретичні дослідження міжфазових масообмінних, термоіндукованих, деградаційних процесів в матеріалах, що володіють яскраво вираженим терморезисторним ефектом;
- · дослідження контактних явищ в бінарних системах “кераміка-метал”;
- · дослідження впливу температури та невпеорядкованості структури на величину магніторезистивного ефекту в керамічних напівпровідникових композитах із структурою шпінелі;
- · розробка терморезисторних елементів поліфункціонального призначення.
Напівпровідникова оксидна кераміка на основі титанату барію для пристроїв температурного та струмового захисту електрорадіотехніки:
- · дослідження умов синтезу напівпровідникової ВаТіО3-кераміки з високим значенням додатного температурного коефіцієнту опору в області температури фазового переходу і низькими величинами варісторного ефекту та питомого опору;
- · мікроструктурні дослідження процесів формування кераміки;
- · дослідження механізму донорно–акцепторної компенсації в ВаТіО3-кераміці;
- · розробка позисторів для температурного та струмового захисту радіотехнічних блоків, вузлів тощо.
Напівпровідникові і діелектричні композиції для вологочутливих елементів:
- · розробка основ лабораторноі технології виготовлення вологочутливих елементів на основі вище запропонованих композицій;
- · дослідження впливу технологічних параметрів на експлуатаційні характеристики вологочутливих елементів.
- · дослідження фізичних характеристик датчиків на основі систем: Al2O3-MgO, TiO2-V2O5, ZrO2;
2. Матеріали оптоелектроніки:
Фотоелектретні, фотоелектричні і піроелектричні елементи на основі органічних поліциклічних сполук:
- · теоретичне та експериментальне вивчення фотоелектричного стану в фотоелектричних піроелектриках;
- · дослідження експериментальних методів одержання фоточутливих плівок на основі: 4-нітро- 4’-амінодифенілу та акридіну;
- · дослідження фотоелектретного стану в фоточутливому піроелектрику при періодичній зміні світлового потоку і зовнішнього електричного піроелектричного поля;
- · розробка елементів оптичної памяті і перетворювачів оптичних сигналів в електричні, які працюють на основі фотоелектретного стану.
4. Історична довідка: Лабораторія була заснована у 1987 році професором Ковальським П.М., який започаткував дослідження фізико-хімічних властивостей керамічних оксидних напівпровідників, матеріалів оптоелектроніки, та виготовлення елементів радіоелектроніки на їх основі.
2 квітня 1999 року спільним наказом за № 81/57 Ректора ДДПУ професора Скотного В.Г. і Генерального директора НВП „Карат” (м.Львів) професора Ваківа М.М. було створено спільну науково-дослідну лабораторію нелінійних давачів імені професора Ковальського П.М., яка входить у структуру кафедри загальної фізики ДДПУ і відділу 2011 „Відділ аналітичних досліджень і апробацій нових технологій” НВП „Карат”.
5. Співробітники лабораторії:
1. Кравців Микола Михайлович, завідувач лабораторією, старший науковий співробітник.
2. Медвідь Микола Андрійович, старший науковий співробітник.
3. Гадзаман Іван Васильович, старший науковий співробітник, к.ф.-м.н.
4. Кравців Ірина Григорівна, старший лаборант.
5. Процак Людмила Сергіївна, старший лаборант.
6. Пєнтак Іван Миколайович, технік.
7. Кравців Михайло Миколайович, технік, студент ІФМІ.
6. Основні результати:
До основних наукових та науково-технічних здобутків колективу лабораторії слід віднести:
- · Розробку новітнього підходу до відбору керамічних напівпровідників з комплексом наперед визначених експлуатаційних параметрів на основі оксидних сполук із структурою шпінелі.
- · Дослідження аномального характеру зернограничної дифузії срібла в керамічних напівпровідниках та механізмів мікроструктурних перетворень.
- · Дослідження нових механізмів взаємодії фотоелектретного стану і піроелектричного ефекту в органічних поліциклічних напівпровідниках.
- · Створення технології виготовлення терморезисторів для захисту радіотехнічних вузлів, пристроїв та схем від струмових і теплових перевантажень.
7. Співпраця: Наукова діяльність Лабораторії тісно пов’язана тематикою Науково-дослідноного інституту матеріалів (м.Львів), Інституту загальної неорганічної хімії НАН України (м.Київ), Інституту металофізики НАН України (м.Київ), політехнічного інституту Німеччини (FachchochschuleMünster/universityofAppliedSciences – FachbereichChemieingenieurwesen (Steinfurt, Germany)).
8. Інше: Науково-дослідна робота виконується за тематичними планами НДР та ДКР Дрогобицького державного педагогічного університету і НВП “Карат” у рамках держбюджетних тем “Наукові основи технології отримання складних композиційних матеріалів для електронної техніки ” (проект № 4/303 з Фонду фундаментальних досліджень ДКНТ України, 1993-1994 рр.); “Розробка технології одержання напівпровідникової кераміки та її дослідження з метою створення потужних терморезисторів” (№ держ. реєстрації 01.96U010307, наказ № 187 від 23.12.1993р. Міністерства освіти України); “Розробка технології одержання терморезисторів для збільшення часу служби освітлювальних ламп розжарення і радіоелектронних схем” (№ держ. реєстрації 01.96U010323, наказ № 340 від 02.12.1994р. Міністерства освіти України); “Розробка технології та налагодження серійного виробництва функціональної терморезисторної кераміки з від(ємним температурним коефіцієнтом опору для цілей струмового захисту світлотехнічних пристроїв” (проект 05.09/001480 з Державного Фонду фундаментальних досліджень Міністерства України у справах науки і технологій, № держ. реєстрації 01.97 U015338, 1997-1998рр.); державного контракту “Розробка технології виготовлення та налагодження серійного випуску радіотехнічної терморезисторної кераміки з наперед заданими властивостями для струмового захисту радіоапаратури” (№ держ. реєстрації 01.95U022878, замовник – Мінмашпром України, 1995-1996рр.) та субпідрядної теми “Комплексне дослідження можливості модифікації технологічного процесу виготовлення таблеток для терморезисторів” (№ держ. реєстрації 01.94U0320107, замовник – НВП “Карат”, 1994-1995рр.);”Наукові основи одержання позисторної кераміки для електронної техніки” (Проект № 4.4/31 з Державного фонду фундаментальних досліджень України, 1997-2001 р.р.); НДР “Розробка основ технології та отримання широкого класу позисторів побутового призначення” (Робота виконувалась згідно з координаційним планом Міносвіти і науки України, 1999-2001 р.р.)
Перелік науково-технічної продукції, яка розроблена в лабораторії:
Терморезистори з відємним температурним коефіцієнтом опору
Терморезистори для струмового захисту блоків живлення радіоелектронної апаратури
Номінальний опір при 25 °С, Ом
16 ± 20%, 16± 20%, 9.1± 20%
Постійна В, К ≥3300
Робочий струм, А 1.2, 3, 8
Робоча напруга, В 220
Стала часу, с ≤ 120
Максимальна робоча температура, °С ≤ 130
ТУ БИТС. 434121.01, ТУ.У 02125438.001 – 95
Терморезистори для захисту електричних ламп розжарення потужністю 25 – 160 Вт
Номінальний опір при 25 °С, Ом 330 – 680
Постійна В, К ≥3700
Робоча напруга, В 220
Стала часу, с ≤ 150
Максимальна робоча температура, °С ≤ 130
ТУ.У 23273999.021-98
Терморезистори для контролю температури
Номінальний опір при 25 °С, Ом 2200±20%
Постійна В, К ≥4000
Стала часу, с ≤ 12
Максимальна робоча температура, °С ≤ 130
Діапазон вимірювання температури, ° -40 – +150
Терморезистори з додатнім температурним коефіцієнтом опору (позистори)
Позистори для температурного захисту та контролю температури
Номінальний опір при 25 °С, Ом 20……200
Класифікаційна температура, °С 0, 100, 110, 120
Опір при класифікаційній температурі, Ом ≥ 1000
Стала часу, с ≤5
Позистори для струмового захисту
Номінальний опір при 25 °С, Ом 70 ± 25%
Робочий струм, mА ≤ 30
Струм відключення, mА 70
Максимальна робоча напруга, В 245
Датчики вологості
Діапазон вимірювання відносної вологості, % 10–95
Діапазон робочих температур, °С -40 – +100
Імпеданс, Ом
при відносній вологості 10% ·108
при відносній вологості 95% 103
Робоча напруга на частоті струму 1 кГц, В 10.
9. Контактна інформація: e–mail: kravtsiv@drohobych.net. Тел. 03244- 13406.
Тел. моб. 0504311175
Завідувач лабораторією Кравців М.М.